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AON6912ALS_102

FET 功能 :

标准

FET 类型 :

2 N 沟道（双）非对称型

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

2.5V @ 250µA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

13.7 毫欧 @ 10A，10V，7.3 毫欧 @ 20A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

910pF @ 15V，1300pF @ 15V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

17nC @ 10V，20nC @ 10V

供应商器件封装 :

8-DFN-EP（5x6）

功率 - 最大值 :

1.9W（Ta），22W（Tc），2.1W（Ta），30W（Tc）

包装 :

-

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

8-PowerVDFN

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

漏源电压（Vdss） :

30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

10A（Ta），34A（Tc），13.8A（Ta），52A（Tc）

系列 :

-

零件状态 :

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