数据列表

ECH8651R-TL-H

FET 功能 :

逻辑电平门

FET 类型 :

2 个 N 沟道（双）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

-

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

14 毫欧 @ 5A，4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

-

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

24nC @ 10V

供应商器件封装 :

8-ECH

功率 - 最大值 :

1.5W

包装 :

Reel®

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

8-SMD，扁平引线

工作温度 :

150°C（TJ）

漏源电压（Vdss） :

24V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

10A

系列 :

-

零件状态 :

停產