数据列表

SSM6P35AFU,LF

FET 功能 :

逻辑电平栅极，1.2V 驱动

FET 类型 :

2 个 P 沟道（双）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

1V @ 100µA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

1.4 欧姆 @ 150mA，4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

42pF @ 10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

-

供应商器件封装 :

US6

功率 - 最大值 :

285mW（Ta）

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

6-TSSOP，SC-88，SOT-363

工作温度 :

150°C

漏源电压（Vdss） :

20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

250mA（Ta）

系列 :

U-MOSVII

零件状态 :

在售