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NTMD6601NR2G

FET 功能 :

逻辑电平门

FET 类型 :

2 个 N 沟道（双）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

3V @ 250µA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

215 毫欧 @ 2.2A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

400pF @ 25V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

15nC @ 10V

供应商器件封装 :

8-SOIC

功率 - 最大值 :

600mW

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

漏源电压（Vdss） :

80V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

1.1A

系列 :

-

零件状态 :

停產