产品概览

产品型号
GSID200A120S3B1
现有数量
580
制造商
Global Power Technologies Group
产品类别
晶体管 - IGBT - 模块
产品描述
SILICON IGBT MODULES

文档与媒体

数据列表
GSID200A120S3B1

产品详情

IGBT 类型 :
-
NTC 热敏电阻 :
不同 Vce 时的输入电容(Cies) :
20nF @ 25V
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) :
2V @ 15V,200A
供应商器件封装 :
D3
功率 - 最大值 :
1595W
安装类型 :
底座安装
封装/外壳 :
D-3 模块
工作温度 :
-40°C ~ 150°C
电压 - 集射极击穿(最大值) :
1200V
电流 - 集电极截止(最大值) :
1mA
电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
400A
系列 :
Amp+™
输入 :
标准
配置 :
2 个独立式
零件状态 :
在售

采购与价格

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