产品概览

产品型号
HGTG30N60B3D
现有数量
1,536
制造商
ON Semiconductor
产品类别
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
产品描述
IGBT 600V 60A 208W TO247

文档与媒体

数据列表
HGTG30N60B3D

产品详情

25°C 时 Td(开/关)值 :
36ns/137ns
IGBT 类型 :
-
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) :
1.9V @ 15V,30A
供应商器件封装 :
TO-247-3
功率 - 最大值 :
208W
包装 :
管件
反向恢复时间(trr) :
55ns
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-247-3
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
开关能量 :
550µJ(开),680µJ(关)
栅极电荷 :
170nC
测试条件 :
480V,30A,3 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) :
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
60A
系列 :
-
脉冲电流 - 集电极 (Icm) :
220A
输入类型 :
标准
零件状态 :
不適用於新設計

采购与价格

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