产品概览

产品型号
IKW50N65ES5XKSA1
现有数量
240
制造商
Infineon Technologies
产品类别
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
产品描述
IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3

文档与媒体

数据列表
IKW50N65ES5XKSA1

产品详情

25°C 时 Td(开/关)值 :
20ns/127ns
IGBT 类型 :
沟道
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) :
1.7V @ 15V,50A
供应商器件封装 :
PG-TO247-3
功率 - 最大值 :
274W
包装 :
管件
反向恢复时间(trr) :
70ns
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-247-3
工作温度 :
-40°C ~ 175°C(TJ)
开关能量 :
1.23mJ(开),550µJ(关)
栅极电荷 :
120nC
测试条件 :
400V,50A,8.2 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) :
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
80A
系列 :
TrenchStop™
脉冲电流 - 集电极 (Icm) :
200A
输入类型 :
标准
零件状态 :
在售

采购与价格

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