产品概览

产品型号
STGW75M65DF2
现有数量
600
制造商
STMicroelectronics
产品类别
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
产品描述
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

文档与媒体

数据列表
STGW75M65DF2

产品详情

25°C 时 Td(开/关)值 :
47ns/125ns
IGBT 类型 :
沟槽型场截止
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) :
2.1V @ 15V,75A
供应商器件封装 :
TO-247
功率 - 最大值 :
468W
包装 :
管件
反向恢复时间(trr) :
165ns
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-247-3
工作温度 :
-55°C ~ 175°C(TJ)
开关能量 :
690µJ(开),2.54mJ(关)
栅极电荷 :
225nC
测试条件 :
400V,75A,3.3 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) :
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
120A
系列 :
M
脉冲电流 - 集电极 (Icm) :
225A
输入类型 :
标准
零件状态 :
在售

采购与价格

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