产品概览

产品型号
APTGTQ200DA65T3G
现有数量
580
制造商
Microsemi Corporation
产品类别
晶体管 - IGBT - 模块
产品描述
POWER MODULE - IGBT

文档与媒体

数据列表
APTGTQ200DA65T3G

产品详情

IGBT 类型 :
-
NTC 热敏电阻 :
不同 Vce 时的输入电容(Cies) :
12nF @ 25V
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) :
2.2V @ 15V,200A
供应商器件封装 :
SP3F
功率 - 最大值 :
483W
安装类型 :
底座安装
封装/外壳 :
模块
工作温度 :
-40°C ~ 175°C(TJ)
电压 - 集射极击穿(最大值) :
650V
电流 - 集电极截止(最大值) :
200µA
电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
200A
系列 :
-
输入 :
标准
配置 :
升压斩波器
零件状态 :
在售