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APT65GP60B2G

25°C 时 Td（开/关）值 :

30ns/91ns

IGBT 类型 :

PT

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） :

2.7V @ 15V，65A

供应商器件封装 :

-

功率 - 最大值 :

833W

包装 :

管件

反向恢复时间（trr） :

-

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-247-3 变式

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

开关能量 :

605µJ（开），896µJ（关）

栅极电荷 :

210nC

测试条件 :

400V，65A，5 欧姆，15V

电压 - 集射极击穿（最大值） :

600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

100A

系列 :

POWER MOS 7®

脉冲电流 - 集电极 (Icm) :

250A

输入类型 :

标准

零件状态 :

不適用於新設計