产品概览

产品型号
FGH60T65SQD-F155
现有数量
121
制造商
ON Semiconductor
产品类别
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
产品描述
650V 60A FS4 TRENCH IGBT

文档与媒体

数据列表
FGH60T65SQD-F155

产品详情

25°C 时 Td(开/关)值 :
20.8ns/102ns
IGBT 类型 :
沟槽型场截止
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) :
2.1V @ 15V,60A
供应商器件封装 :
TO-247-3
功率 - 最大值 :
333W
包装 :
-
反向恢复时间(trr) :
34.6ns
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-247-3
工作温度 :
-55°C ~ 175°C(TJ)
开关能量 :
227µJ(開),100µJ(关)
栅极电荷 :
79nC
测试条件 :
400V,15A,4.7 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) :
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
120A
系列 :
-
脉冲电流 - 集电极 (Icm) :
240A
输入类型 :
标准
零件状态 :
在售

采购与价格

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