产品概览

产品型号
APT35GP120B2DQ2G
现有数量
580
制造商
Microsemi Corporation
产品类别
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
产品描述
IGBT 1200V 96A 543W TMAX

文档与媒体

数据列表
APT35GP120B2DQ2G

产品详情

25°C 时 Td(开/关)值 :
16ns/95ns
IGBT 类型 :
PT
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) :
3.9V @ 15V,35A
供应商器件封装 :
-
功率 - 最大值 :
543W
包装 :
管件
反向恢复时间(trr) :
-
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-247-3 变式
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
开关能量 :
750µJ(开),680µJ(关)
栅极电荷 :
150nC
测试条件 :
600V,35A,4.3 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) :
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
96A
系列 :
POWER MOS 7®
脉冲电流 - 集电极 (Icm) :
140A
输入类型 :
标准
零件状态 :
在售

采购与价格

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