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IXDI630MYI

上升/下降时间（典型值） :

11ns，11ns

供应商器件封装 :

TO-263-5

包装 :

管件

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

TO-263-6，D²Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

栅极类型 :

IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电压 - 电源 :

9V ~ 35V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

30A，30A

系列 :

-

输入类型 :

反相

通道类型 :

单路

逻辑电压 - VIL，VIH :

0.8V，3.5V

零件状态 :

在售

驱动器数 :

1

驱动配置 :

低压侧

高压侧电压 - 最大值（自举） :

-