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PMBFJ112,215

FET 类型 :

N 沟道

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） :

5V @ 1µA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

6pF @ 10V（VGS）

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） :

5mA @ 15V

供应商器件封装 :

SOT-23（TO-236AB）

功率 - 最大值 :

300mW

包装 :

剪切带（CT）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

工作温度 :

150°C（TJ）

漏极电流（Id） - 最大值 :

-

漏源电压（Vdss） :

40V

电压 - 击穿（V（BR）GSS） :

40V

电阻 - RDS（开） :

50 Ohms

系列 :

-

零件状态 :

停產