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TF256TH-4-TL-H

FET 类型 :

N 沟道

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） :

100mV @ 1µA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

3.1pF @ 2V

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） :

140µA @ 2V

供应商器件封装 :

3-VTFP

功率 - 最大值 :

100mW

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

3-SMD，扁平引线

工作温度 :

150°C（TJ）

漏极电流（Id） - 最大值 :

1mA

漏源电压（Vdss） :

-

电压 - 击穿（V（BR）GSS） :

-

电阻 - RDS（开） :

-

系列 :

-

零件状态 :

停產