产品概览

产品型号
HGT1S20N60C3S9A
现有数量
865
制造商
ON Semiconductor
产品类别
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
产品描述
IGBT 600V 45A 164W TO263AB

文档与媒体

数据列表
HGT1S20N60C3S9A

产品详情

25°C 时 Td(开/关)值 :
28ns/151ns
IGBT 类型 :
-
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) :
1.8V @ 15V,20A
供应商器件封装 :
TO-263AB
功率 - 最大值 :
164W
包装 :
剪切带(CT)
反向恢复时间(trr) :
-
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
开关能量 :
295µJ(开),500µJ(关)
栅极电荷 :
91nC
测试条件 :
480V,20A,10 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) :
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
45A
系列 :
-
脉冲电流 - 集电极 (Icm) :
300A
输入类型 :
标准
零件状态 :
不適用於新設計

采购与价格