产品概览

产品型号
NGTB30N60L2WG
现有数量
90
制造商
ON Semiconductor
产品类别
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
产品描述
IGBT 600V 30A TO247

文档与媒体

数据列表
NGTB30N60L2WG

产品详情

25°C 时 Td(开/关)值 :
100ns/390ns
IGBT 类型 :
-
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) :
1.6V @ 15V,30A
供应商器件封装 :
TO-247-3
功率 - 最大值 :
225W
包装 :
管件
反向恢复时间(trr) :
70ns
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-247-3
工作温度 :
175°C(TJ)
开关能量 :
310µJ(开),1.14mJ(关)
栅极电荷 :
166nC
测试条件 :
300V,30A,30 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) :
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
100A
系列 :
-
脉冲电流 - 集电极 (Icm) :
60A
输入类型 :
标准
零件状态 :
在售