产品概览

产品型号
STGB3NB60FDT4
现有数量
805
制造商
STMicroelectronics
产品类别
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
产品描述
IGBT 600V 6A 68W D2PAK

文档与媒体

数据列表
STGB3NB60FDT4

产品详情

25°C 时 Td(开/关)值 :
12.5ns/105ns
IGBT 类型 :
-
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) :
2.4V @ 15V,3A
供应商器件封装 :
D2PAK
功率 - 最大值 :
68W
包装 :
剪切带(CT)
反向恢复时间(trr) :
45ns
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 :
150°C(TJ)
开关能量 :
125µJ(关)
栅极电荷 :
16nC
测试条件 :
480V,3A,10 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) :
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
6A
系列 :
PowerMESH™
脉冲电流 - 集电极 (Icm) :
24A
输入类型 :
标准
零件状态 :
停產

采购与价格

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