产品概览

产品型号
STGB30H65FB
现有数量
580
制造商
STMicroelectronics
产品类别
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
产品描述
IGBT

文档与媒体

数据列表
STGB30H65FB

产品详情

25°C 时 Td(开/关)值 :
37ns/146ns
IGBT 类型 :
沟槽型场截止
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) :
2V @ 15V,30A
供应商器件封装 :
D2PAK
功率 - 最大值 :
260W
包装 :
-
反向恢复时间(trr) :
-
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 :
-55°C ~ 175°C(TJ)
开关能量 :
151µJ(开),293µJ(关)
栅极电荷 :
149nC
测试条件 :
400V,30A,10 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) :
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
60A
系列 :
HB
脉冲电流 - 集电极 (Icm) :
120A
输入类型 :
标准
零件状态 :
在售

采购与价格

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