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2N5116UB

FET 类型 :

P 沟道

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） :

4V @ 1nA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

27pF @ 15V

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） :

25mA @ 15V

供应商器件封装 :

UB

功率 - 最大值 :

500mW

包装 :

散装

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

3-SMD，无引线

工作温度 :

-65°C ~ 200°C（TJ）

漏极电流（Id） - 最大值 :

-

漏源电压（Vdss） :

30V

电压 - 击穿（V（BR）GSS） :

30V

电阻 - RDS（开） :

175 Ohms

系列 :

军用，MIL-PRF-19500

零件状态 :

预定