产品概览
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- 数据列表
- J110,126
产品详情
- FET 类型 :
- N 沟道
- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） :
- 4V @ 1µA
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :
- 30pF @ 0V
- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） :
- 10mA @ 5V
- 供应商器件封装 :
- TO-92-3
- 功率 - 最大值 :
- 400mW
- 包装 :
- 带盒（TB）
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 漏极电流（Id） - 最大值 :
- -
- 漏源电压（Vdss） :
- 25V
- 电压 - 击穿（V（BR）GSS） :
- 25V
- 电阻 - RDS（开） :
- 18 Ohms
- 系列 :
- -
- 零件状态 :
- 停產
