产品概览

产品型号
IRGR3B60KD2TRLP
现有数量
580
制造商
Infineon Technologies
产品类别
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
产品描述
IGBT 600V 7.8A 52W DPAK

文档与媒体

数据列表
IRGR3B60KD2TRLP

产品详情

25°C 时 Td(开/关)值 :
18ns/110ns
IGBT 类型 :
NPT
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) :
2.4V @ 15V,3A
供应商器件封装 :
D-Pak
功率 - 最大值 :
52W
包装 :
剪切带(CT)
反向恢复时间(trr) :
77ns
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
开关能量 :
62µJ(开),39µJ(关)
栅极电荷 :
13nC
测试条件 :
400V,3A,100 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) :
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
7.8A
系列 :
-
脉冲电流 - 集电极 (Icm) :
15.6A
输入类型 :
标准
零件状态 :
停產