产品概览

产品型号
APT30GN60BDQ2G
现有数量
580
制造商
Microsemi Corporation
产品类别
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
产品描述
IGBT 600V 63A 203W TO247

文档与媒体

数据列表
APT30GN60BDQ2G

产品详情

25°C 时 Td(开/关)值 :
12ns/155ns
IGBT 类型 :
沟槽型场截止
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) :
1.9V @ 15V,30A
供应商器件封装 :
TO-247 [B]
功率 - 最大值 :
203W
包装 :
管件
反向恢复时间(trr) :
-
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-247-3
工作温度 :
-55°C ~ 175°C(TJ)
开关能量 :
525µJ(开),700µJ(关)
栅极电荷 :
165nC
测试条件 :
400V,30A,4.3 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值) :
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
63A
系列 :
-
脉冲电流 - 集电极 (Icm) :
90A
输入类型 :
标准
零件状态 :
在售

采购与价格

您可能在找

推荐产品