数据列表

2SB1181TLP

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

400mV @ 50mA，500mA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

82 @ 100mA，3V

供应商器件封装 :

CPT3

功率 - 最大值 :

1W

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

工作温度 :

150°C（TJ）

晶体管类型 :

PNP

电压 - 集射极击穿（最大值） :

80V

电流 - 集电极截止（最大值） :

1µA（ICBO）

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

1A

系列 :

-

零件状态 :

不適用於新設計

频率 - 跃迁 :

100MHz