数据列表

KSB1121STM

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

600mV @ 75mA，1.5A

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

140 @ 100mA，2V

供应商器件封装 :

SOT-89-3

功率 - 最大值 :

1.3W

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

TO-243AA

工作温度 :

150°C（TJ）

晶体管类型 :

PNP

电压 - 集射极击穿（最大值） :

25V

电流 - 集电极截止（最大值） :

100nA（ICBO）

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

2A

系列 :

-

零件状态 :

停產

频率 - 跃迁 :

150MHz