数据列表

2SB1679G0L

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

300mV @ 8mA，400mA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

130 @ 500mA，2V

供应商器件封装 :

S迷你型3-F2

功率 - 最大值 :

150mW

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

SC-85

工作温度 :

150°C（TJ）

晶体管类型 :

PNP

电压 - 集射极击穿（最大值） :

10V

电流 - 集电极截止（最大值） :

100nA（ICBO）

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

500mA

系列 :

-

零件状态 :

停產

频率 - 跃迁 :

130MHz