数据列表

FZT692B-TP

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

500mV @ 200mA，2A

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

500 @ 100mA，2V

供应商器件封装 :

SOT-223

功率 - 最大值 :

800mW

包装 :

-

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

TO-261-4，TO-261AA

工作温度 :

150°C（TJ）

晶体管类型 :

NPN

电压 - 集射极击穿（最大值） :

70V

电流 - 集电极截止（最大值） :

100nA（ICBO）

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

2.5A

系列 :

-

零件状态 :

最後搶購

频率 - 跃迁 :

10MHz