数据列表

2SB1151-G-BP

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

300mV @ 200mA，2A

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

200 @ 2A，1V

供应商器件封装 :

TO-126

功率 - 最大值 :

1.25W

包装 :

-

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-225AA，TO-126-3

工作温度 :

-55°C ~150°C（TJ）

晶体管类型 :

PNP

电压 - 集射极击穿（最大值） :

60V

电流 - 集电极截止（最大值） :

10µA（ICBO）

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

5A

系列 :

-

零件状态 :

最後搶購

频率 - 跃迁 :

-