数据列表

PDTD114EQAZ

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

100mV @ 2.5mA，50mA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

70 @ 50mA，5V

供应商器件封装 :

DFN1010D-3

功率 - 最大值 :

325mW

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

3-XDFN 裸露焊盘

晶体管类型 :

NPN - 预偏压

电压 - 集射极击穿（最大值） :

50V

电流 - 集电极截止（最大值） :

500nA

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

500mA

电阻器 - 发射极基底（R2） :

10 kOhms

电阻器 - 基底（R1） :

10 kOhms

系列 :

汽车级，AEC-Q101

零件状态 :

在售

频率 - 跃迁 :

210MHz