数据列表

UNR412100A

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

250mV @ 5mA，100mA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

40 @ 100mA，10V

供应商器件封装 :

NS-A1

功率 - 最大值 :

300mW

包装 :

剪切带（CT）

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

3-SSIP

晶体管类型 :

PNP - 预偏压

电压 - 集射极击穿（最大值） :

50V

电流 - 集电极截止（最大值） :

1µA

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

500mA

电阻器 - 发射极基底（R2） :

2.2 kOhms

电阻器 - 基底（R1） :

2.2 kOhms

系列 :

-

零件状态 :

停產

频率 - 跃迁 :

200MHz