数据列表

EMZ52T2R

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

300mV @ 5mA，50mA，400mV @ 5mA，50mA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

120 @ 1mA，6V

供应商器件封装 :

EMT6

功率 - 最大值 :

150mW

包装 :

Reel®

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

SOT-563，SOT-666

工作温度 :

150°C（TJ）

晶体管类型 :

NPN，PNP

电压 - 集射极击穿（最大值） :

50V

电流 - 集电极截止（最大值） :

100nA（ICBO）

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

100mA

系列 :

-

零件状态 :

在售

频率 - 跃迁 :

350MHz，300MHz