数据列表

FJNS4212RBU

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

300mV @ 1mA，10mA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

100 @ 1mA，5V

供应商器件封装 :

TO-92S

功率 - 最大值 :

300mW

包装 :

散装

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-226-3，TO-92-3 短体

晶体管类型 :

PNP - 预偏压

电压 - 集射极击穿（最大值） :

40V

电流 - 集电极截止（最大值） :

100nA（ICBO）

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

100mA

电阻器 - 发射极基底（R2） :

-

电阻器 - 基底（R1） :

47 kOhms

系列 :

-

零件状态 :

停產

频率 - 跃迁 :

200MHz