产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- EMX1FHAT2R
产品详情
- 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) :
- 400mV @ 5mA,50mA
- 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) :
- 120 @ 1mA,6V
- 供应商器件封装 :
- EMT6
- 功率 - 最大值 :
- 150mW
- 包装 :
- 带卷(TR)
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- SOT-563,SOT-666
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- 2 NPN(双)
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 50V
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
- 150mA
- 系列 :
- 汽车级,AEC-Q101
- 零件状态 :
- 在售
- 频率 - 跃迁 :
- 180MHz
采购与价格
您可能在找
- EMX18T2R ¥1.25
- EMX18T2R ¥3.87
- EMX18T2R
- EMX1DXV6T1
- EMX1DXV6T1G ¥0.66
推荐产品
- EMX18T2R ¥1.25
- EMX18T2R ¥3.87
- EMX18T2R
- EMX1DXV6T1
- EMX1DXV6T1G ¥0.66