产品概览

产品型号
MT3S111TU,LF
现有数量
580
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
产品描述
RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N

文档与媒体

数据列表
MT3S111TU,LF

产品详情

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) :
200 @ 30mA,5V
供应商器件封装 :
UFM
功率 - 最大值 :
800mW
包装 :
Reel®
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) :
0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
增益 :
12.5dB
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
3-SMD,扁平引线
工作温度 :
150°C(TJ)
晶体管类型 :
NPN
电压 - 集射极击穿(最大值) :
6V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
100mA
系列 :
-
零件状态 :
在售
频率 - 跃迁 :
10GHz

采购与价格