数据列表

EMX5T2R

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

500mV @ 5mA，10mA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

56 @ 5mA，10V

供应商器件封装 :

EMT6

功率 - 最大值 :

150mW

包装 :

剪切带（CT）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

SOT-563，SOT-666

工作温度 :

150°C（TJ）

晶体管类型 :

2 NPN（双）

电压 - 集射极击穿（最大值） :

11V

电流 - 集电极截止（最大值） :

500nA（ICBO）

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

50mA

系列 :

-

零件状态 :

预定

频率 - 跃迁 :

3.2GHz