产品概览

产品型号
RN1421TE85LF
现有数量
580
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别
晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置
产品描述
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

文档与媒体

数据列表
RN1421TE85LF

产品详情

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) :
250mV @ 2mA,50mA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) :
60 @ 100mA,1V
供应商器件封装 :
S-Mini
功率 - 最大值 :
200mW
包装 :
带卷(TR)
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
晶体管类型 :
NPN - 预偏压
电压 - 集射极击穿(最大值) :
50V
电流 - 集电极截止(最大值) :
500nA
电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
800mA
电阻器 - 发射极基底(R2) :
1 kOhms
电阻器 - 基底(R1) :
1 kOhms
系列 :
-
零件状态 :
在售
频率 - 跃迁 :
300MHz

采购与价格

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