数据列表

NST857BDP6T5G

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

700mV @ 5mA，100mA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

220 @ 2mA，5V

供应商器件封装 :

SOT-963

功率 - 最大值 :

350mW

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

SOT-963

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

晶体管类型 :

2 PNP（双）

电压 - 集射极击穿（最大值） :

45V

电流 - 集电极截止（最大值） :

15nA（ICBO）

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

100mA

系列 :

-

零件状态 :

在售

频率 - 跃迁 :

100MHz