数据列表

ZXTDB2M832TA

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

270mV @ 125mA，4.5A / 300mV @ 350mA，3.5A

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

200 @ 2A，2V / 150 @ 2A，2V

供应商器件封装 :

8-MLP（3x2）

功率 - 最大值 :

1.7W

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

8-VDFN 裸露焊盘

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

晶体管类型 :

NPN，PNP

电压 - 集射极击穿（最大值） :

20V

电流 - 集电极截止（最大值） :

25nA

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

4.5A，3.5A

系列 :

-

零件状态 :

停產

频率 - 跃迁 :

140MHz，180MHz