数据列表

ZXTDC3M832TA

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

320mV @ 200mA，4A / 370mV @ 250mA，2.5A

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

100 @ 2A，2V / 60 @ 1.5A，2V

供应商器件封装 :

8-MLP（3x2）

功率 - 最大值 :

1W

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

8-VDFN 裸露焊盘

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

晶体管类型 :

NPN，PNP

电压 - 集射极击穿（最大值） :

50V，40V

电流 - 集电极截止（最大值） :

25nA

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

4A，3A

系列 :

-

零件状态 :

停產

频率 - 跃迁 :

165MHz，190MHz