数据列表

IMD10AT108

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

300mV @ 1mA，10mA / 300mV @ 5mA，100mA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

100 @ 1mA，5V / 68 @ 100mA，5V

供应商器件封装 :

SMT6

功率 - 最大值 :

300mW

包装 :

剪切带（CT）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

SC-74，SOT-457

晶体管类型 :

1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电压 - 集射极击穿（最大值） :

50V

电流 - 集电极截止（最大值） :

500nA

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

100mA，500mA

电阻器 - 发射极基底（R2） :

10 千欧

电阻器 - 基底（R1） :

10 千欧，100 欧姆

系列 :

-

零件状态 :

在售

频率 - 跃迁 :

250MHz，200MHz