数据列表

PBLS2002S,115

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） :

150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） :

30 @ 10mA，5V / 150 @ 2A，2V

供应商器件封装 :

8-SO

功率 - 最大值 :

1.5W

包装 :

剪切带（CT）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

晶体管类型 :

1 NPN 预偏压式，1 PNP

电压 - 集射极击穿（最大值） :

50V，20V

电流 - 集电极截止（最大值） :

1µA，100nA

电流 - 集电极（Ic）（最大值） :

100mA，3A

电阻器 - 发射极基底（R2） :

4.7 千欧

电阻器 - 基底（R1） :

4.7 千欧

系列 :

-

零件状态 :

停產

频率 - 跃迁 :

100MHz