产品概览

产品型号
HN1B04FU-Y(T5L,F,T
现有数量
580
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
产品描述
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

文档与媒体

数据列表
HN1B04FU-Y(T5L,F,T

产品详情

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) :
250mV @ 10mA,100mA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) :
120 @ 2mA,6V
供应商器件封装 :
US6
功率 - 最大值 :
200mW
包装 :
Reel®
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
工作温度 :
125°C(TJ)
晶体管类型 :
NPN,PNP
电压 - 集射极击穿(最大值) :
50V
电流 - 集电极截止(最大值) :
100nA(ICBO)
电流 - 集电极(Ic)(最大值) :
150mA
系列 :
-
零件状态 :
预定
频率 - 跃迁 :
150MHz