- 品牌：
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- Sanken (4)
- Vishay Siliconix (6)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- FET 功能：
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21 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 100V 1A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 100V 1A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 100V 1A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 100V 1A... |
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Microsemi Corporation | POWER MODULE - SI... |
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Sanken | MOSFET 4N-CH 60V 7A... |
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Sanken | MOSFET 4N-CH 60V 7A... |
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Sanken | MOSFET 4N-CH 200V 10... |
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Sanken | MOSFET 4N-CH 100V 10... |
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Infineon Technologies | MOSFET 4N-CH 25V 16A... |
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Infineon Technologies | MOSFET 4N-CH 25V 16A... |
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Infineon Technologies | MOSFET 4N-CH 25V 16A... |
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Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 90V 0.4... |
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Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 90V 0.4... |
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Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 90V 0.4... |
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Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 30V 0.8... |
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Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 30V 0.8... |
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Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 30V 0.8... |
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Diodes Incorporated | MOSFET 4 N-CH 14.8A ... |
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Diodes Incorporated | MOSFET 4 N-CH 14.8A ... |
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