- 品牌：
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- Cree/Wolfspeed (3)
- EPC (66)
- IXYS (11)
- Microsemi Corporation (215)
- ON Semiconductor (5)
- Transphorm (1)
- 系列：
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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率 - 最大值：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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338 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Cree/Wolfspeed | MOSFET 6N-CH 1200V 2... |
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1 | 80 | 加入购物车 提交询价 | ||
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EPC | GAN TRANS SYMMET... |
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1 | 8,694 | 提交询价 | ||
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EPC | GAN TRANS SYMMET... |
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1 | 8,694 | 加入购物车 提交询价 | ||
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EPC | GAN TRANS SYMMET... |
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500 | 8,500 | 加入购物车 提交询价 | ||
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EPC | GAN TRANS SYMMET... |
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1 | 9,243 | 提交询价 | ||
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EPC | GAN TRANS SYMMET... |
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1 | 9,243 | 加入购物车 提交询价 | ||
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EPC | GAN TRANS SYMMET... |
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500 | 9,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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EPC | GAN TRANS ASYMME... |
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1 | 23,844 | 提交询价 | ||
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EPC | GAN TRANS ASYMME... |
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1 | 23,844 | 加入购物车 提交询价 | ||
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EPC | GAN TRANS ASYMME... |
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2,500 | 22,500 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 14A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 14A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 14A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 16A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 16A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 16A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 59... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 900V 30... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 52... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 10... |
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1 | 580 | 提交询价 |
