封装/外壳:
供应商器件封装:
功率 - 最大值:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
VMM300-03F IXYS
MOSFET 2N-CH 300V 29...
¥1,631.55
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APTM10AM02FG Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 49...
¥1,540.31
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APTM10DUM02G Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 49...
¥1,207.56
100 580 加入购物车 提交询价
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