- 品牌：
-
- IXYS (3)
- ON Semiconductor (10)
- STMicroelectronics (10)
- 系列：
-
- 零件状态：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
-
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
-
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
-
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.4... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.4... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.4... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.4... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
IXYS | MOSFET N-CH TO-252 |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.4... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.4... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.4... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.4... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
IXYS | MOSFET N-CH 600V 4A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
IXYS | MOSFET N-CH 600V 4A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 4.6... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 4.6... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 4.6... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 4.6... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 |
