- 品牌：
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- IXYS (3)
- ON Semiconductor (5)
- 系列：
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- 零件状态：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.4... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH TO-252 |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.4... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 600V 4A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 600V 4A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 4.6... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 4.6... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 3A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2.4... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 4.6... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO... |
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500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL... |
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4,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4.5... |
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800 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.3... |
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1,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4.5... |
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1 | 980 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.4... |
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1 | 435 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL... |
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1 | 1,500 | 加入购物车 提交询价 |
