- 品牌：
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- Diodes Incorporated (78)
- Infineon Technologies (295)
- NXP USA Inc. (9)
- ON Semiconductor (31)
- STMicroelectronics (170)
- Vishay Siliconix (18)
- 系列：
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- 工作温度：
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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- FET 类型：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- FET 功能：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 65A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 65A... |
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1 | 692 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 65A... |
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1 | 10,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 2.6A... |
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1 | 1,650 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 2.6A... |
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3,000 | 3,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 610M... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13.6... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13.6... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13.6... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8.3A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8.3A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8.3A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SO... |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 4A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 4A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 4A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 9A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 9A ... |
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1 | 580 | 提交询价 |
