系列:
零件状态:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
ZXMN3A01E6TC Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 2.4A...
-
1 580 提交询价
IRLMS5703TRPBF Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2.4A...
-
1 1,783 提交询价
IRLMS5703TRPBF Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2.4A...
¥4.43
1 1,783 加入购物车 提交询价
IRLMS5703TRPBF Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2.4A...
¥1.51
3,000 580 加入购物车 提交询价
ZXMN3A01E6TA Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 2.4A...
¥5.14
1 2,974 加入购物车 提交询价
ZXMN3A01E6TA Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 2.4A...
¥1.77
3,000 580 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 6 条