零件状态:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SI4435DY Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A ...
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SI4435DYTR Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A ...
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SI4435DYPBF Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A ...
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NDS8435 ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 7A ...
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NDS8435 ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 7A ...
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BUK6Y12-30PX Nexperia USA Inc.
BUK6Y12-30P/SOT669/LF...
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BUK6Y12-30PX Nexperia USA Inc.
BUK6Y12-30P/SOT669/LF...
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BUK6Y12-30PX Nexperia USA Inc.
BUK6Y12-30P/SOT669/LF...
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SI4435DYTRPBF Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A ...
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SI4435DYTRPBF Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A ...
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SI4435DYTRPBF Infineon Technologies
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